今年对半导体设备的国内生产到了关键点：今年的第一个“全国生产

据报道，为了减少对外国设备的依赖，Changjiang Storage Technology Co，Ltd（YMTC）在促进“国家生产”制造设备方面取得了重大成功。第一条国家生产线将在2025年下半年的测试中引入。2016年，长江存储正式注册并在Wuhan Donghu New Technology Development Development区域中建立，重点介绍了3D NAND Flash Memory Chips的设计，制造和销售。到2022年底，扬特兹的存储已包括在商务部的实体部门。尽管它没有获得高级美国制造设备，但它仍然依赖于现有工具来维持高级NAND Flash产品线的开发和制造，并积极促进容量的扩展。目前，该产品的容量每月储存量接近130,000个晶圆，约占全球劳动力的8％。它计划到2025年，每月生产能力达到近150,000瓦夫（WSPM），并在2026年底努力占NO的全球闪存的15％。在技术水平上，扬特兹的内存也取得了重大发展。 232层TLC（三层单元）芯片X4-9070通过双层堆叠实现了294层等效密度，界面速度达到3600mt/s。 3D QLC X4-6080将于2025年晚些时候推出，该QLC X4-6080将继续进行294层堆叠，并且群众在2026年将2TB 3D TLC X5-9080和3D QLC X5-6080推出，这将支持4800mt/s高速界面。预计下一代体系结构将超过300层的堆栈，从而增加每个晶片的位输出，并保持总输出的增长，即使过程时间增加并且每月芯片的数量减少。虽然长江记忆力能够从ASML，应用材料等国际设备供应商那里获取新设备，但ND KLA是有限的，它仍然计划将自我开发的技术和国内设备引入大规模，以支持其目标增长率高于一般市场的10％至15％。长江的记忆使用弦刺技术来防止限制并朝100％的设备移动。这是美国控制上述128层堆叠技术的堆叠技术的对策，并且也是中国芯片设备自由的重要试金石。如果制定国家生产线的测试是成功的，那么预计将增加一倍，并帮助长江商店实现市场的目标共享。世界前三个记忆能力是三星，SK Hynix和Micron。 2025年三家公司的劳动力能力的预测分别为660,000、500,000和300,000。如果杨氏存储可以将其每月产量提高到200,000，它将有权影响满足NAND闪存价格的价格。但是，我们必须清楚地从试行线到大规模的大规模工作，这尚未在一夜之间实现。家庭设备的长期稳定性，各种设备之间的流程兼容性以及成本控制功能都是需要从稳定的收益率上解析的主要问题，从而优化了成本，然后在产品重复时，它将至少需要3 - 5年的抛光轮换。中国芯片制造商正在向前发展，但是设备的100％的设备不仅仅是中国芯片制造商现在可以涵盖的意见分析师的意见：中国在中国的努力中储存局部局部局部半导体设备。根据摩根士丹利采用率的估计率为45％，超过了全国平均水平和其他主要的国内晶圆厂（最大的晶圆厂已达到Jingcheng Fab的国内生产率为22％，Fab的晶圆厂达到了18％），但采用率45％小于100％。 Changjiang Storage的国家生产线试验是全球竞争中中国半导体行业的“范式创新”。这证明了Kshav是否已经抓住了单点技术，通过系统，过程和体系结构系统的合作，仍可以实现工业链中的整体成功。第一国生产线的拉扯具有重要意义：集成电路生产是一个系统的项目，涉及九类基本设备和其他辅助言语模块。全国各地的生产线的拉扯并不是一个链接中的成功，而是所有链接的成功。我国半导体设备的国内生产速率大大低于中国市场比例。 2024年，胶水设备，清洁设备，蚀刻设备和热处理设备的国内生产率超过30％。费率oF PVD国内生产/CVD/ALD，CMP，胶水涂层的发展，离子种植，数量发现和光刻摄影仍然低于20％，5?20％，30?40％，5?10％，10?20％，1?10％，1?10％和0?1％。更值得注意的是，TechInsights的报告表明，最新的“ Xtacking 4.0”芯片与性能市场的领导者相当，但是由于诸如Intense Ultraviolet光刻（EUV）之类的主要领域的差距，持续的增长取决于范围缩小设备和输出差距的能力。长亚河的存储建立了长江技术的好处，该技术采用了四年前制造3D制造的混合技术，并命名为“ Xtacking”。在早期，Changjiang存储通过与Xperi签署许可协议获得了混合债券技术的原始专利，然后Nagwe在该领域拥有全面的独立专利系统。它目前处于世界混合键合技术领域的领先地位。扬子存储，whiCH首先在3D中应用混合键合，具有相关技术的强大专利积累。迄今为止，长江存储的专利申请总数超过10,000。尽管Changjiang近年来的存储开发受到各种外部限制的影响，但存储密度已成功地提高到与行业领先水平相当的高度，达到了商业产品中最高的垂直门密度，这使Changjiang成为无强大的世界无与伦比的无世界世界。这样做的关键是，Changjiang存储会导致CBA架构，并实现了混合键合的稳定技术产量。在3D NAND的传统架构中，外围电路可提供约20?30％的芯片区域。由于3D技术堆叠在128层甚至更高的情况下，外围电路占据的芯片区域可能会达到50％以上，这也会导致储存密度降低。同时，此过程可以是Accommoda最多300层NAND，否则将应用于施加到底部电路的压力上可能会导致电路损坏。为了解决这个问题，Changjiang Storage在2018年初推出了一项全新的Xtacking技术，将3D数字制造的高级层数推向CBA（CMOS键合）架构。 NAND和CMOS电路晶片的晶片可以生产不同的生产线，并使用其优化的节点过程制作，这不仅缩短了生产周期，而且还降低了制造的复杂性和成本。对于3D制造商而言，混合键合是一项基本技术，如果他们想建造超过400层的Nand堆叠，则需要处理。尽管SK Hynix和Micron在2020年和2022年获得了Xperi的混合粘合技术许可，这是由于过渡到CBA架构的缓慢，但是在面对Yangtze存储时，三星和SK Hynix等主要制造商不可避免地会面临专利障碍，该公司已经投资了Yangtze。多年来，多年来的混合技术多年。此外，由于许多变化，制造的成本不可避免地比长长长久以来一直采用的杂种粘合剂高。芯片记忆行业是一个成熟的市场，三星，SK Hynix和Micron等巨头涵盖了大多数市场共享。与他们相比，Changjiang的存储空间是新星。最重要的是，在基本技术逐渐追赶甚至导致行业巨头之后，如何提高生产能力已成为存储Changjiang的主要问题，如果可以重写该行业的结构，这也很重要。